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ZXMN10A25GTA
0.366
ZXMN10A25GTA 数据手册 (8 页)
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ZXMN10A25GTA 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
4 Pin
封装
TO-261-4
极性
N-CH
功耗
3.9 W
漏源极电压(Vds)
100 V
连续漏极电流(Ids)
4A
上升时间
3.7 ns
输入电容值(Ciss)
859pF @50V(Vds)
额定功率(Max)
2 W
下降时间
9.4 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2W (Ta)

ZXMN10A25GTA 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

ZXMN10A25GTA 数据手册

Diodes(美台)
8 页 / 0.61 MByte
Diodes(美台)
183 页 / 0.63 MByte
Diodes(美台)
8 页 / 0.5 MByte
Diodes(美台)
8 页 / 0.6 MByte
Diodes(美台)
1 页 / 0.15 MByte

ZXMN10A25 数据手册

Diodes(美台)
ZXMN10A25K 系列 N 沟道 100 V 0.125 Ohm 功率 MOSFET 表面贴装 -TO-252-3
Diodes(美台)
N沟道 100V 2.9A
Diodes(美台)
Diodes Zetex(捷特科)
N 沟道 MOSFET,100V 至 650V,Diodes Inc MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
Diodes Zetex(捷特科)
N 沟道 MOSFET,100V 至 650V,Diodes Inc### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
Diodes Zetex(捷特科)
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