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RTL020P02TR 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

MOS管

封装:

SOT-363-6

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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RTL020P02TR 数据手册 (5 页)

封装尺寸在1 页

RTL020P02TR 数据手册 (5 页)

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RTL020P02TR 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

额定电压(DC)

-20.0 V

额定电流

-2.00 A

封装

SOT-363-6

漏源极电阻

0.18 Ω

极性

P-Channel

功耗

1 W

漏源极电压(Vds)

20 V

连续漏极电流(Ids)

2.00 A

上升时间

13 ns

输入电容值(Ciss)

430pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

1 W

下降时间

12 ns

耗散功率(Max)

1W (Ta)

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RTL020P02TR 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

2 mm

宽度

1.7 mm

高度

0.77 mm

工作温度

150℃ (TJ)

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RTL020P02TR 符合标准

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ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

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