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RTQ040P02TR
0.265
RTQ040P02TR 数据手册 (5 页)
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RTQ040P02TR 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
额定电压(DC)
-20.0 V
额定电流
-4.00 A
封装
TSOT-23-6
漏源极电阻
600 mΩ
极性
P-Channel
功耗
1.25W (Ta)
漏源极电压(Vds)
20 V
连续漏极电流(Ids)
4.00 A
上升时间
35.0 ns
输入电容值(Ciss)
1350pF @10V(Vds)
额定功率(Max)
1.25 W
耗散功率(Max)
1.25W (Ta)

RTQ040P02TR 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
150℃ (TJ)

RTQ040P02TR 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
5 页 / 0.07 MByte
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
5 页 / 0.12 MByte
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
1 页 / 0.14 MByte

RTQ040P02 数据手册

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RTQ040P02 P沟道MOS场效应管 -20V -4A 85毫欧 SOT-163 marking/标记 TZ 低导通电阻 高速开关 低电压驱动 DC/DC转换
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RTQ040P02 系列 20 V 4 A 表面贴装 DC-DC 转换器 - TSMT6
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