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RU1E002SPTCL 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

MOS管

封装:

SC-85

描述:

P沟道 30V 250mA

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

RU1E002SPTCL 数据手册 (6 页)

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RU1E002SPTCL 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

SC-85

功耗

0.2 W

漏源极电压(Vds)

30 V

上升时间

6 ns

输入电容值(Ciss)

30pF @10V(Vds)

下降时间

23 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

200mW (Ta)

RU1E002SPTCL 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

工作温度

150℃ (TJ)

RU1E002SPTCL 符合标准

RU1E002SPTCL 海关信息

RU1E002SPTCL 数据手册

RU1E002SPTCL 其他数据使用手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

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