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RU1C002ZP 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

封装:

SOT-323

描述:

1.2V驱动P沟道MOSFET 1.2V Drive Pch MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

RU1C002ZP 数据手册 (6 页)

RU1C002ZP 技术参数、封装参数

类型

描述

封装

SOT-323

漏源极电阻

2.4 Ω

极性

漏源极电压(Vds)

-20V

连续漏极电流(Ids)

-0.2A

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RU1C002ZP 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

最小包装数量

3000

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RU1C002ZP 符合标准

RU1C002ZP 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

6 页 / 0.58 MByte

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