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RW1E025RPT2CR 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

MOS管

封装:

SOT-563-6

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

RW1E025RPT2CR 数据手册 (7 页)

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RW1E025RPT2CR 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

封装

SOT-563-6

通道数

1 Channel

漏源极电阻

55 mΩ

功耗

700 mW

阈值电压

2.5 V

漏源极电压(Vds)

30 V

漏源击穿电压

30 V

上升时间

12 ns

输入电容值(Ciss)

480pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

700 mW

下降时间

22 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

700mW (Ta)

RW1E025RPT2CR 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not For New Designs

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

150℃ (TJ)

RW1E025RPT2CR 符合标准

RW1E025RPT2CR 数据手册

RW1E025RPT2CR 其他数据使用手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

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