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RZQ045P01TR 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

MOS管

封装:

TSOT-23-6

描述:

P 沟道 1.25 W -12 V 100 mOhm 表面贴装 2.5 V 驱动 MosFet - TSMT-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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RZQ045P01TR 数据手册 (6 页)

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RZQ045P01TR 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

封装

TSOT-23-6

通道数

1 Channel

极性

P-CH

功耗

1.25W (Ta)

漏源极电压(Vds)

12 V

连续漏极电流(Ids)

4.5A

上升时间

75 ns

输入电容值(Ciss)

2450pF @6V(Vds)

下降时间

215 ns

耗散功率(Max)

1.25W (Ta)

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RZQ045P01TR 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

宽度

1.6 mm

工作温度

150℃ (TJ)

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RZQ045P01TR 符合标准

RZQ045P01TR 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

6 页 / 0.17 MByte

RZQ045P01TR 其他数据使用手册

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P 沟道 1.25 W -12 V 100 mOhm 表面贴装 2.5 V 驱动 MosFet - TSMT-3

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