器件3D模型

￥ 0.28

SH8KA4TB 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

晶体管

封装:

SOP-8

描述:

双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 9 A, 30 V, 0.0165 ohm, 10 V, 2.5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

SH8KA4TB 数据手册 (14 页)

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SH8KA4TB 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

封装

SOP-8

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.0165 Ω

极性

Dual N-Channel

功耗

3 W

阈值电压

2.5 V

漏源极电压(Vds)

30 V

上升时间

19 ns

输入电容值(Ciss)

640pF @15V(Vds)

额定功率(Max)

3 W

下降时间

7 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

SH8KA4TB 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

SH8KA4TB 符合标准

SH8KA4TB 数据手册

SH8KA4TB 其他数据使用手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

14 页 / 2.57 MByte

SH8KA4 数据手册

SH8KA4TB 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 9 A, 30 V, 0.0165 ohm, 10 V, 2.5 V

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