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UT6MA3TCR 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

晶体管

封装:

PowerUDFN-6

描述:

双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 5.5 A, 20 V, 0.03 ohm, 4.5 V, 1.5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

UT6MA3TCR 数据手册 (23 页)

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UT6MA3TCR 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

封装

PowerUDFN-6

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.03 Ω

极性

N-Channel, P-Channel

功耗

2 W

阈值电压

1.5 V

漏源极电压(Vds)

20 V

连续漏极电流(Ids)

5.5A/5A

输入电容值(Ciss)

460pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

2 W

工作温度(Max)

150 ℃

UT6MA3TCR 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

UT6MA3TCR 符合标准

UT6MA3TCR 数据手册

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ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

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双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 5.5 A, 20 V, 0.03 ohm, 4.5 V, 1.5 V

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