器件3D模型

￥ 0.05

SI1002R-T1-GE3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

封装:

SC-75-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

SI1002R-T1-GE3 数据手册 (9 页)

封装尺寸在6 页

SI1002R-T1-GE3 数据手册 (9 页)

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SI1002R-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

3 Pin

封装

SC-75-3

漏源极电阻

1.1 Ω

极性

N-CH

阈值电压

400 mV

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

610mA

上升时间

13 ns

输入电容值(Ciss)

36pF @15V(Vds)

下降时间

11 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

220 mW

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SI1002R-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

最小包装数量

3000

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SI1002R-T1-GE3 符合标准

SI1002R-T1-GE3 数据手册

VISHAY（威世）

9 页 / 0.15 MByte

SI1002R-T1-GE3 其他数据使用手册

VISHAY（威世）

9 页 / 0.18 MByte

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