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SI7900AEDN-T1-E3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

封装:

1212

描述:

双N通道20 -V （D -S ）的MOSFET ，共漏极 Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Common Drain

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SI7900AEDN-T1-E3 数据手册 (13 页)

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SI7900AEDN-T1-E3 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

8 Pin

封装

1212

漏源极电阻

0.036 Ω

极性

Dual N-Channel

功耗

1.5 W

阈值电压

900 mV

漏源极电压(Vds)

20 V

连续漏极电流(Ids)

8.50 A

上升时间

1300 ns

下降时间

4200 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1500 mW

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SI7900AEDN-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

高度

1.04 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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SI7900AEDN-T1-E3 符合标准

SI7900AEDN-T1-E3 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

13 页 / 0.51 MByte

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