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SI1012CR-T1-GE3
0.761
SI1012CR-T1-GE3 数据手册 (8 页)
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SI1012CR-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SC-75
漏源极电阻
0.33 Ω
功耗
240 mW
阈值电压
400 mV
漏源极电压(Vds)
20 V
输入电容值(Ciss)
43pF @10V(Vds)
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
240mW (Ta)

SI1012CR-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

SI1012CR-T1-GE3 数据手册

Vishay Siliconix
8 页 / 0.16 MByte
Vishay Siliconix
8 页 / 0.16 MByte

SI1012CRT1 数据手册

VISHAY(威世)
N 通道 MOSFET,8V 至 25V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI1012CR-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 630 mA, 20 V, 0.33 ohm, 4.5 V, 400 mV
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