器件3D模型

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SI3460DDV-T1-GE3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

封装:

TSOP-6

描述:

VISHAY SI3460DDV-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 7.9 A, 20 V, 0.023 ohm, 4.5 V, 400 mV

Pictures:

3D模型

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焊盘图

引脚图

产品图

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SI3460DDV-T1-GE3 数据手册 (7 页)

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SI3460DDV-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

封装

TSOP-6

针脚数

6 Position

漏源极电阻

0.023 Ω

极性

N-Channel

功耗

1.7 W

阈值电压

400 mV

漏源极电压(Vds)

20 V

输入电容值(Ciss)

666pF @10V(Vds)

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2.7 W

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SI3460DDV-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

3.1 mm

宽度

1.7 mm

高度

1 mm

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SI3460DDV-T1-GE3 符合标准

SI3460DDV-T1-GE3 海关信息

SI3460DDV-T1-GE3 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

7 页 / 0.59 MByte

SI3460DDV-T1-GE3 其他数据使用手册

Vishay Semiconductor（威世）

7 页 / 0.59 MByte

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