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SI1012R-T1-GE3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

封装:

SC-75-3

描述:

VISHAY SI1012R-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 600 mA, 20 V, 0.41 ohm, 4.5 V, 900 mV

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3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SI1012R-T1-GE3 数据手册 (10 页)

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SI1012R-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

SC-75-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.41 Ω

极性

N-Channel

功耗

150 mW

阈值电压

900 mV

漏源极电压(Vds)

20 V

连续漏极电流(Ids)

600 mA

上升时间

5 ns

下降时间

11 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

150 mW

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SI1012R-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

1.575 mm

宽度

0.76 mm

高度

0.7 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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SI1012R-T1-GE3 符合标准

SI1012R-T1-GE3 海关信息

SI1012R-T1-GE3 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

10 页 / 0.22 MByte

SI1012R-T1-GE3 其他数据使用手册

Vishay Semiconductor（威世）

8 页 / 0.15 MByte

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