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SI1013R-T1
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SI1013R-T1 数据手册 (10 页)
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SI1013R-T1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
漏源极电阻
1.20 Ω
极性
P-Channel
功耗
150 mW
栅源击穿电压
±6.00 V

SI1013R-T1 数据手册

Vishay Dale(威世达勒)
10 页 / 0.21 MByte

SI1013 数据手册

VISHAY(威世)
P沟道1.8 -V (G -S )的MOSFET P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
VISHAY(威世)
P沟道1.8 -V (G -S )的MOSFET P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
VISHAY(威世)
表面贴装型-P-通道-20V-450mA(Ta)-190mW(Ta)-SC-89-3
Silicon Labs(芯科)
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI1013R-T1-GE3  场效应管, MOSFET, P通道, -20V, -350MA, SOT-416-3
Vishay Semiconductor(威世)
P沟道1.8 -V (G -S )的MOSFET P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
Silicon Labs(芯科)
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