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SI1013R-T1-E3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

P沟道MOS管

描述:

P沟道1.8 -V （G -S ）的MOSFET P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SI1013R-T1-E3 数据手册 (8 页)

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SI1013R-T1-E3 数据手册 (8 页)

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SI1013R-T1-E3 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

3 Pin

漏源极电阻

1.20 Ω

极性

P-Channel

功耗

150 mW

漏源极电压(Vds)

-20.0 V

漏源击穿电压

-20.0 V

栅源击穿电压

±6.00 V

连续漏极电流(Ids)

-350 mA

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