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SI1022R
0.061
SI1022R 数据手册
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SI1022R 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
3 Pin
封装
SC-75
漏源极电阻
1.25 Ω
极性
N-Channel
功耗
250 mW
漏源极电压(Vds)
60.0 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
330 mA

SI1022R 数据手册

VISHAY(威世)
134 页 / 1.72 MByte
VISHAY(威世)
8 页 / 0.39 MByte
VISHAY(威世)
7 页 / 0.15 MByte

SI1022 数据手册

VISHAY(威世)
N通道60 -V (D -S )的MOSFET N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
Silicon Labs(芯科)
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI1022R-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 330 mA, 60 V, 1.25 ohm, 10 V, 2.5 V
VISHAY(威世)
N通道60 -V (D -S )的MOSFET N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
Silicon Labs(芯科)
Silicon Labs(芯科)
Vishay Siliconix
VISHAY(威世)
N通道60 -V (D -S )的MOSFET N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
Silicon Labs(芯科)
射频微控制器 - MCU
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