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SI5475DC 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

MOS管

封装:

Chip

描述:

P通道12 -V （D -S ）的MOSFET P-Channel 12-V (D-S) MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

SI5475DC 数据手册 (5 页)

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SI5475DC 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

8 Pin

封装

Chip

漏源极电阻

31.0 mΩ

极性

P-Channel

功耗

1.30 W

漏源极电压(Vds)

-12.0 V, 12.0 V

栅源击穿电压

±8.00 V

连续漏极电流(Ids)

7.60 A, -7.60 A

SI5475DC 符合标准

SI5475DC 概述

SI5475DC 数据手册

SI5475DC 其他数据使用手册

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