器件3D模型

￥ 0.051

SI1023X-T1-GE3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

MOS管

封装:

SC-89-6

描述:

双P通道20 - V（D -S）的MOSFET Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

SI1023X-T1-GE3 数据手册 (7 页)

查看文档

或点击图片查看大图

SI1023X-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

封装

SC-89-6

漏源极电阻

2.7 Ω

极性

Dual P

功耗

0.25 W

漏源极电压(Vds)

20 V

连续漏极电流(Ids)

370mA

额定功率(Max)

250 mW

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

250 mW

查看数据手册 >

SI1023X-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

最小包装数量

3000

查看数据手册 >

SI1023X-T1-GE3 符合标准

SI1023X-T1-GE3 数据手册

VISHAY（威世）

7 页 / 0.13 MByte

SI1023XT1 数据手册

SI1023X-T1 数据手册

Vishay Siliconix

SI1023X-T1 数据手册

VISHAY（威世）

SI1023X-T1-GE3 数据手册

VISHAY（威世）

双P通道20 - V（D -S）的MOSFET Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

SI1023X-T1-GE3 数据手册

Vishay Siliconix

SI1023X-T1-E3 数据手册

Vishay Siliconix

SI1023X-T1-E3 数据手册

VISHAY（威世）

双P通道20 - V（D -S）的MOSFET Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

SI1023X-T1-GE3 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

VISHAY SI1023X-T1-GE3 场效应管, MOSFET, P沟道, -20V, SC-89

SI1023X-T1-E3 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

双P通道20 - V（D -S）的MOSFET Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

SI1023X-T1-GE3 数据手册

Vishay Intertechnology

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号