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SI1023X-T1-E3
器件3D模型
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SI1023X-T1-E3 数据手册 (7 页)
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SI1023X-T1-E3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
SC-89-6
漏源极电压(Vds)
20 V
额定功率(Max)
250 mW

SI1023X-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Cut Tape (CT)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

SI1023X-T1-E3 数据手册

Vishay Siliconix
7 页 / 0.13 MByte
Vishay Siliconix
7 页 / 0.13 MByte

SI1023XT1 数据手册

Vishay Siliconix
VISHAY(威世)
VISHAY(威世)
双P通道20 - V(D -S)的MOSFET Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
Vishay Siliconix
VISHAY(威世)
双P通道20 - V(D -S)的MOSFET Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI1023X-T1-GE3  场效应管, MOSFET, P沟道, -20V, SC-89
Vishay Semiconductor(威世)
双P通道20 - V(D -S)的MOSFET Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
Vishay Intertechnology
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