￥ 0.158

SI1303DL-T1-E3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

封装:

SOT-323

描述:

VISHAY SI1303DL-T1-E3 晶体管, MOSFET, P沟道, -670 mA, -20 V, 0.36 ohm, -4.5 V, -1.4 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

SI1303DL-T1-E3 数据手册 (2 页)

查看文档

或点击图片查看大图

SI1303DL-T1-E3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

SOT-323

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.36 Ω

极性

P-Channel

功耗

290 mW

栅源击穿电压

±12.0 V

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

查看数据手册 >

SI1303DL-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

长度

2.2 mm

高度

1 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

查看数据手册 >

SI1303DL-T1-E3 符合标准

SI1303DL-T1-E3 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

2 页 / 0.05 MByte

SI1303DL-T1-E3 其他数据使用手册

Vishay Semiconductor（威世）

11 页 / 0.23 MByte

SI1303DLT1 数据手册

SI1303DL-T1 数据手册

VISHAY（威世）

P沟道2.5 -V （G -S ）的MOSFET P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET

SI1303DL-T1 数据手册

Vishay Siliconix

SI1303DL-T1 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

P沟道2.5 -V （G -S ）的MOSFET P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET

SI1303DL-T1-E3 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

VISHAY SI1303DL-T1-E3 晶体管, MOSFET, P沟道, -670 mA, -20 V, 0.36 ohm, -4.5 V, -1.4 V

SI1303DL-T1-E3 数据手册

Vishay Siliconix

SI1303DL-T1-GE3 数据手册

VISHAY（威世）

P沟道2.5 -V （G -S ）的MOSFET P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET

SI1303DL-T1-GE3 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

P沟道2.5 -V （G -S ）的MOSFET P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET

SI1303DL-T1-GE3 数据手册

Vishay Siliconix

SI1303DL-T1-E3 数据手册

VISHAY（威世）

P沟道2.5 -V （G -S ）的MOSFET P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET

SI1303DL-T1-E3 数据手册

Vishay Intertechnology

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号