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SI1303DL-T1
0.059
SI1303DL-T1 数据手册 (9 页)
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SI1303DL-T1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-323
漏源极电阻
430 mΩ
极性
P-Channel
功耗
340 mW
栅源击穿电压
±12.0 V

SI1303DL-T1 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
9 页 / 0.21 MByte
Vishay Semiconductor(威世)
5 页 / 0.09 MByte

SI1303 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI1303DL-T1-E3  晶体管, MOSFET, P沟道, -670 mA, -20 V, 0.36 ohm, -4.5 V, -1.4 V
VISHAY(威世)
P沟道2.5 -V (G -S )的MOSFET P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
VISHAY(威世)
P沟道2.5 -V (G -S )的MOSFET P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
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P沟道2.5 -V (G -S )的MOSFET P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
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