￥ 0.103

SI1551DL 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

MOS管

封装:

SOT-363

描述:

补充20 -V （D -S ）的MOSFET Complementary 20-V (D-S) MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

SI1551DL 数据手册 (8 页)

查看文档

或点击图片查看大图

SI1551DL 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

封装

SOT-363

漏源极电阻

1.90 Ω

极性

N-Channel, P-Channel

功耗

300 mW

漏源极电压(Vds)

20 V

栅源击穿电压

±12.0 V

连续漏极电流(Ids)

300 mA

SI1551DL 符合标准

SI1551DL 概述

SI1551DL 数据手册

SI1551DL 其他数据使用手册

VISHAY（威世）

8 页 / 0.1 MByte

SI1551 数据手册

SI1551DL-T1-E3 数据手册

Vishay Siliconix

SI1551DL-T1-E3 数据手册

VISHAY（威世）

补充20 -V （D -S ）的MOSFET Complementary 20-V (D-S) MOSFET

SI1551DL-T1-GE3 数据手册

Vishay Siliconix

SI1551DL-T1 数据手册

Vishay Siliconix

SI1551DL-T1-E3 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

补充20 -V （D -S ）的MOSFET Complementary 20-V (D-S) MOSFET

SI1551DL-T1-GE3 数据手册

VISHAY（威世）

SI1551DL 数据手册

VISHAY（威世）

补充20 -V （D -S ）的MOSFET Complementary 20-V (D-S) MOSFET

SI1551DL-T1 数据手册

VISHAY（威世）

补充20 -V （D -S ）的MOSFET Complementary 20-V (D-S) MOSFET

SI1551DL 数据手册

Vishay Siliconix

SI1551DL-T1-GE3 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号