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SI1563EDH 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

MOS管

封装:

SOT-363

描述:

补充20 -V （D -S ）低阈值MOSFET Complementary 20-V (D-S) Low-Threshold MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

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SI1563EDH 数据手册 (9 页)

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SI1563EDH 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

封装

SOT-363

漏源极电阻

280 mΩ, 490 mΩ

极性

N-Channel, P-Channel

漏源极电压(Vds)

20 V

栅源击穿电压

±12.0 V

连续漏极电流(Ids)

1.28 A, 1.00 A

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