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SI3441BDVT1
器件3D模型
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SI3441BDVT1 数据手册 (6 页)
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SI3441BDVT1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
6 Pin
封装
TSOP
漏源极电阻
90.0 mΩ
极性
P-Channel
功耗
1.25 W
连续漏极电流(Ids)
-2.45 A

SI3441BDVT1 数据手册

VISHAY(威世)
6 页 / 0.08 MByte

SI3441 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
P沟道2.5V指定的PowerTrench MOSFET P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
P沟道2.5V指定的PowerTrench MOSFET P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
Vishay Siliconix
Vishay Semiconductor(威世)
P沟道2.5 -V (G -S )的MOSFET P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
VISHAY(威世)
P沟道2.5 -V (G -S )的MOSFET P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI3441BDV-T1-GE3  晶体管, P沟道
VISHAY(威世)
P沟道2.5 -V (G -S )的MOSFET P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
VISHAY(威世)
P沟道2.5 -V (G -S )的MOSFET P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
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