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SI3445DV
0.041
SI3445DV 数据手册 (5 页)
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SI3445DV 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
6 Pin
封装
SSOT-6
漏源极电阻
24.0 mΩ
极性
P-Channel
功耗
1.6 W
栅源击穿电压
±8.00 V
上升时间
11 ns
下降时间
11 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

SI3445DV 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape & Reel (TR)

SI3445DV 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
5 页 / 0.2 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
5 页 / 0.08 MByte

SI3445 数据手册

VISHAY(威世)
P沟道1.8-V(G-S)的MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
SI3445 P沟道MOS场效应管 -8V -5.6A 80毫欧 SOT-163 marking/标记 45
VISHAY(威世)
P沟道1.8 -V (G -S )的MOSFET P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI3445DV-T1-E3  晶体管, MOSFET, P沟道, 5.6 A, -8 V, 42 mohm, -4.5 V, -1 V
Fairchild(飞兆/仙童)
P沟道1.8V指定的PowerTrench MOSFET P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET
VISHAY(威世)
P沟道1.8 -V (G -S )的MOSFET P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
VISHAY(威世)
P沟道1.8 -V (G -S )的MOSFET P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
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