器件3D模型

￥ 0.123

SI4466DY 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

MOS管

封装:

SO-8

描述:

单N沟道2.5V指定的PowerTrench MOSFET Single N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

SI4466DY 数据手册 (5 页)

封装尺寸在1 页

SI4466DY 数据手册 (5 页)

查看文档

或点击图片查看大图

SI4466DY 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SO-8

漏源极电阻

6.00 mΩ

极性

N-Channel

功耗

2.5 W

漏源击穿电压

20.0 V

栅源击穿电压

±12.0 V

连续漏极电流(Ids)

15.0 A

上升时间

27 ns

下降时间

35 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

查看数据手册 >

SI4466DY 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

4.9 mm

宽度

3.9 mm

高度

1.75 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

查看数据手册 >

SI4466DY 符合标准

SI4466DY 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

5 页 / 0.07 MByte

SI4466DY 产品描述及参数

Fairchild（飞兆/仙童）

5 页 / 0.18 MByte

SI4466 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

单N沟道2.5V指定的PowerTrench MOSFET Single N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

SI4466DY 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

单N沟道2.5V指定的PowerTrench MOSFET Single N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

SI4466DY-T1-E3 数据手册

Vishay Siliconix

SI4466DY-T1-E3 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

VISHAY SI4466DY-T1-E3 场效应管, MOSFET, N沟道, 20V 13.5A 8-SOIC

SI4466DY-T1-E3 数据手册

VISHAY（威世）

N沟道2.5 -V （G -S ）的MOSFET N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET

Vishay Siliconix

VISHAY（威世）

Vishay Siliconix

Vishay Siliconix

Vishay Semiconductor（威世）

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号