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SI3456DV
0.059
SI3456DV 数据手册 (5 页)
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SI3456DV 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
6 Pin
封装
SSOT
漏源极电阻
33.0 mΩ
极性
N-Channel
功耗
1.60 W
漏源击穿电压
30.0 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
5.10 A

SI3456DV 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape & Reel (TR)

SI3456DV 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
5 页 / 0.24 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
11 页 / 0.19 MByte

SI3456 数据手册

VISHAY(威世)
N通道30 -V (D -S )的MOSFET N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
VISHAY(威世)
N通道30 -V (D -S )的MOSFET N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI3456DDV-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 6.3 A, 30 V, 33 mohm, 10 V, 1.2 V
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道MOSFET的PowerTrench N-Channel PowerTrench MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI3456BDV-T1-E3  场效应管, MOSFET, N沟道, 30V V(BR)DSS
VISHAY(威世)
N沟道30-V(D-S)的MOSFET功率MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
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