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SI4936DY
器件3D模型
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SI4936DY 数据手册 (6 页)
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SI4936DY 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
8 Pin
封装
SO-8
漏源极电阻
37.0 mΩ
极性
N-Channel
功耗
2.00 W
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
5.80 A

SI4936DY 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
长度
4.9 mm
宽度
3.9 mm
高度
1.75 mm

SI4936DY 数据手册

Vishay Siliconix
6 页 / 0.06 MByte
Vishay Siliconix
6 页 / 0.06 MByte

SI4936 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
双N沟道增强型MOSFET Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
双N通道30 -V (D -S )的MOSFET Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
VISHAY(威世)
双N通道30 -V (D -S )的MOSFET Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
VISHAY(威世)
双 N 通道 MOSFET,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
VISHAY(威世)
SI4936ADY-T1-E3 编带
VISHAY(威世)
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