器件3D模型

￥ 0.402

SI4490DY-T1-GE3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

MOS管

封装:

SOIC-8

描述:

晶体管, MOSFET, N沟道, 2.85 A, 200 V, 0.065 ohm, 10 V, 2 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SI4490DY-T1-GE3 数据手册 (5 页)

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SI4490DY-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

针脚数

8 Position

漏源极电阻

65 mΩ

极性

N-Channel

功耗

3.1 W

阈值电压

2 V

漏源极电压(Vds)

200 V

连续漏极电流(Ids)

2.85 A

上升时间

20 ns

额定功率(Max)

1.56 W

下降时间

25 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1560 mW

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SI4490DY-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

最小包装数量

2500

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SI4490DY-T1-GE3 符合标准

SI4490DY-T1-GE3 数据手册

VISHAY（威世）

5 页 / 0.07 MByte

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