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SI4501ADY-T1
器件3D模型
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SI4501ADY-T1 数据手册 (12 页)
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SI4501ADY-T1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
SOIC-8
功耗
1.3 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

SI4501ADY-T1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
长度
4.9 mm
宽度
3.9 mm
高度
1.75 mm

SI4501ADY-T1 数据手册

Vishay Siliconix
12 页 / 0.29 MByte

SI4501 数据手册

VISHAY(威世)
互补( N和P沟道)的MOSFET Complementary (N- and P-Channel) MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI4501BDY-T1-GE3  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 12 A, 30 V, 0.0135 ohm, 10 V, 800 mV
VISHAY(威世)
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI4501ADY-T1-GE3  场效应管阵列, MOSFET, N/P沟道, 30V, SOIC
Vishay Siliconix
Vishay Semiconductor(威世)
Vishay Siliconix
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