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SI4501BDY-T1-GE3
器件3D模型
0.264
SI4501BDY-T1-GE3 数据手册 (15 页)
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SI4501BDY-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
极性
N-Channel, P-Channel
漏源极电压(Vds)
30V, 8V
输入电容值(Ciss)
805pF @15V(Vds)

SI4501BDY-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Cut Tape (CT)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

SI4501BDY-T1-GE3 数据手册

Vishay Siliconix
15 页 / 0.26 MByte
Vishay Siliconix
14 页 / 0.19 MByte

SI4501BDYT1 数据手册

VISHAY(威世)
互补( N和P沟道)的MOSFET Complementary (N- and P-Channel) MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI4501BDY-T1-GE3  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 12 A, 30 V, 0.0135 ohm, 10 V, 800 mV
Vishay Intertechnology
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