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器件3D模型
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SI4810DY 数据手册 - VISHAY(威世)
制造商:
VISHAY(威世)
封装:
SOIC
描述:
N通道30 -V ( D- S)的MOSFET与肖特基二极管 N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
Pictures:
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SI4810DY 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
30 V
连续漏极电流(Ids)
10A
上升时间
8 ns
下降时间
18 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2500 mW
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SI4810DY
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VISHAY(威世)
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BDY-T1-E3
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VISHAY(威世)
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N通道30 -V ( D- S)的MOSFET与肖特基二极管 N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
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