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SI4816BDY
器件3D模型
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SI4816BDY 数据手册
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SI4816BDY 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
SOIC
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
30 V
连续漏极电流(Ids)
5.8A/8.2A

SI4816 数据手册

VISHAY(威世)
双N通道30 -V ( DS ) MOSFET与肖特基二极管 Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
VISHAY(威世)
双N通道30 -V ( DS ) MOSFET与肖特基二极管 Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI4816BDY-T1-GE3.  场效应管, MOSFET, 双N沟道, 30V, SOIC
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI4816BDY-T1-E3  场效应管, MOSFET, 双路 N 通道, 30V, 0.0093Ω
Vishay Semiconductor(威世)
双N通道30 -V ( DS ) MOSFET与肖特基二极管 Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
Vishay Siliconix
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