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SI4800BDY
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SI4800BDY 数据手册
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SI4800BDY 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
8 Pin
极性
N-Channel
功耗
1.30 W
连续漏极电流(Ids)
6.50 A

SI4800 数据手册

NXP(恩智浦)
N沟道增强模式音响场效晶体管 N-channel enhancement mode field-effect transistor
Philips(飞利浦)
Vishay Siliconix
Vishay Intertechnology
VISHAY(威世)
N沟道减少的Qg ,快速开关MOSFET N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET
VISHAY(威世)
N沟道,30V,9A,18.5mΩ@10V
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI4800BDY-T1-E3  场效应管, MOSFET, N沟道, 30V V(BR)DSS
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