器件3D模型

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SI4953ADY-T1-E3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

封装:

描述:

VISHAY SI4953ADY-T1-E3 场效应管, MOSFET, 双P沟道, -30V, SOIC-8

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SI4953ADY-T1-E3 数据手册 (5 页)

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SI4953ADY-T1-E3 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

8 Pin

封装

漏源极电阻

90.0 mΩ

极性

Dual P-Channel

功耗

2.00 W

漏源极电压(Vds)

-30.0 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

4.90 A, -4.90 A

上升时间

10 ns

下降时间

20 ns

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SI4953ADY-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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SI4953ADY-T1-E3 符合标准

SI4953ADY-T1-E3 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

5 页 / 0.09 MByte

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