器件3D模型

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SI4953DY 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

MOS管

封装:

SO-8

描述:

双P沟道增强型MOSFET Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SI4953DY 数据手册 (4 页)

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SI4953DY 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SO-8

漏源极电阻

40.0 mΩ

极性

P-Channel

功耗

2 W

栅源击穿电压

±20.0 V

上升时间

14 ns

下降时间

16 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

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SI4953DY 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

4.9 mm

宽度

3.9 mm

高度

1.75 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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SI4953DY 符合标准

SI4953DY 海关信息

SI4953DY 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

4 页 / 0.15 MByte

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