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SI5441DC
0.185
SI5441DC 数据手册 (4 页)
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SI5441DC 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
Chip
极性
P-CH
漏源极电压(Vds)
20 V
连续漏极电流(Ids)
3.9A

SI5441DC 数据手册

VISHAY(威世)
4 页 / 0.06 MByte

SI5441 数据手册

VISHAY(威世)
P沟道2.5 -V (G -S )的MOSFET P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
VISHAY(威世)
场效应管, MOSFET, P沟道, -20V, 61A, 1206
Vishay Semiconductor(威世)
P沟道2.5 -V (G -S )的MOSFET P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI5441BDC-T1-GE3  场效应管, MOSFET, P沟道, -20V, 61A, 1206
Vishay Semiconductor(威世)
P沟道2.5 -V (G -S )的MOSFET P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
VISHAY(威世)
P沟道2.5 -V (G -S )的MOSFET P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
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