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SI9926CDY-T1-GE3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

封装:

NSOIC-8

描述:

VISHAY SI9926CDY-T1-GE3 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 8 A, 20 V, 0.015 ohm, 4.5 V, 1.5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SI9926CDY-T1-GE3 数据手册 (10 页)

封装尺寸在7 页 8 页

SI9926CDY-T1-GE3 数据手册 (10 页)

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SI9926CDY-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

8 Pin

封装

NSOIC-8

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.015 Ω

极性

N-Channel, Dual N-Channel

功耗

3.1 W

阈值电压

1.5 V

漏源极电压(Vds)

20 V

连续漏极电流(Ids)

8.00 A

工作温度(Max)

150 ℃

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SI9926CDY-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

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SI9926CDY-T1-GE3 符合标准

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