Web Analytics
Datasheet 搜索 > MOS管 > Fairchild(飞兆/仙童) > SI9926DY Datasheet 文档
SI9926DY
器件3D模型
0.075
SI9926DY 数据手册 (5 页)
查看文档
或点击图片查看大图

SI9926DY 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SO-8
通道数
2 Channel
漏源极电阻
12 mΩ
极性
N-Channel
功耗
2 W
漏源击穿电压
20 V
栅源击穿电压
±8.00 V
连续漏极电流(Ids)
10.5 A
上升时间
10 ns
下降时间
5 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
55 ℃

SI9926DY 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
4.9 mm
宽度
3.9 mm
高度
1.75 mm

SI9926DY 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
5 页 / 0.19 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
5 页 / 0.05 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
5 页 / 0.08 MByte

SI9926 数据手册

VISHAY(威世)
双N通道20 -V (D -S )的MOSFET Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
VISHAY(威世)
双N通道20 -V (D -S )的MOSFET Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI9926CDY-T1-E3  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 8 A, 20 V, 18 mohm, 4.5 V, 1.5 V
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI9926CDY-T1-GE3  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 8 A, 20 V, 0.015 ohm, 4.5 V, 1.5 V
Fairchild(飞兆/仙童)
双N沟道2.5V指定的PowerTrench MOSFET Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
VISHAY(威世)
SI9926BDY-T1-E3 停产 编带
Vishay Semiconductor(威世)
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z