￥ 0.175

SIZ300DT-T1-GE3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

MOS管

封装:

PowerWDFN-8

描述:

双N沟道30 V （D -S ）的MOSFET Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETs

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

SIZ300DT-T1-GE3 数据手册 (14 页)

SIZ300DT-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

PowerWDFN-8

漏源极电阻

20mΩ,9mΩ

极性

Dual N-Channel

阈值电压

2.4 V

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

9.8A

输入电容值(Ciss)

400pF @15V(Vds)

额定功率(Max)

16.7W, 31W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

查看数据手册 >

SIZ300DT-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

最小包装数量

3000

查看数据手册 >

SIZ300DT-T1-GE3 符合标准

SIZ300DT-T1-GE3 数据手册

VISHAY（威世）

14 页 / 0.33 MByte

SIZ300DT-T1-GE3 其他数据使用手册

VISHAY（威世）

14 页 / 0.32 MByte

SIZ300DTT1 数据手册

SIZ300DT-T1-GE3 数据手册

Vishay Siliconix

SIZ300DT-T1-GE3 数据手册

VISHAY（威世）

双N沟道30 V （D -S ）的MOSFET Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETs

SIZ300DT-T1-GE3 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

VISHAY SIZ300DT-T1-GE3 场效应管, MOSFET, 双N沟道, 30V, 11A, POWERPAIR-8

SIZ300DT-T1-GE3 数据手册

Vishay Intertechnology

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号