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SIZ300DT-T1-GE3 数据手册 - Vishay Siliconix

制造商:

Vishay Siliconix

分类:

MOS管

封装:

PowerWDFN-8

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

SIZ300DT-T1-GE3 数据手册 (14 页)

SIZ300DT-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

封装

PowerWDFN-8

漏源极电阻

0.02 Ω

漏源极电压(Vds)

30 V

输入电容值(Ciss)

400pF @15V(Vds)

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SIZ300DT-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

长度

3 mm

宽度

3 mm

高度

0.75 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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SIZ300DT-T1-GE3 符合标准

SIZ300DT-T1-GE3 概述

SIZ300DT-T1-GE3 数据手册

Vishay Siliconix

14 页 / 0.32 MByte

SIZ300DT-T1-GE3 其他数据使用手册

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