￥ 0.893

SPB04N60S5 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

酷MOS ™功率晶体管提供新的革命性的高电压技术 Cool MOS™ Power Transistor Feature New revolutionary high voltage technology

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SPB04N60S5 数据手册 (11 页)

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SPB04N60S5 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

600 V

额定电流

4.50 A

封装

TO-263-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

950 mΩ

极性

N-CH

功耗

50 W

输入电容

580 pF

栅电荷

22.9 nC

漏源极电压(Vds)

600 V

漏源击穿电压

600 V

连续漏极电流(Ids)

4.50 A

上升时间

30 ns

输入电容值(Ciss)

580pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

50 W

下降时间

15 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

50000 mW

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SPB04N60S5 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended for New Designs

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

10 mm

宽度

9.25 mm

高度

4.4 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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SPB04N60S5 符合标准

SPB04N60S5 海关信息