￥ 2.223

SPB11N60C3ATMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

中高压MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

SPB11N60C3 系列 650 V 0.38 Ohm N沟道 Cool MOS™ 功率晶体管 - PG-TO-263

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SPB11N60C3ATMA1 数据手册 (13 页)

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SPB11N60C3ATMA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

650 V

额定电流

11.0 A

封装

TO-263-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.34 Ω

极性

N-Channel

功耗

125 W

阈值电压

3 V

输入电容

1200 pF

漏源极电压(Vds)

650 V

连续漏极电流(Ids)

11.0 A

上升时间

5 ns

输入电容值(Ciss)

1200pF @25V(Vds)

下降时间

5 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

125 W

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SPB11N60C3ATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended for New Designs

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

10.31 mm

宽度

9.45 mm

高度

4.57 mm

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SPB11N60C3ATMA1 符合标准

SPB11N60C3ATMA1 概述

SPB11N60C3ATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

13 页 / 0.45 MByte

SPB11N60C3ATMA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

SPB11N60C3ATMA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

40 页 / 0.46 MByte

SPB11N60C3ATMA1 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

SPB11N60C3ATMA1 产品修订记录

Infineon（英飞凌）

1 页 / 0.13 MByte

SPB11N60C3 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON SPB11N60C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 650 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V

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