￥ 2.223

SPB11N60C3ATMA1 产品设计参考手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

中高压MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

SPB11N60C3 系列 650 V 0.38 Ohm N沟道 Cool MOS™ 功率晶体管 - PG-TO-263

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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引脚图在P56P225P254Hot

典型应用电路图在P182P183P184P210P223P225P253

原理图在P6P8P16P20P33P34P39P40P41P44P45P47

封装尺寸在P215P253

型号编码规则在P85P131P142P146P158P183P184P185P191

功能描述在P20P93P94P96P98P100P104P111P114P138P151P182

技术参数、封装参数在P17P131P142

应用领域在P7P9P11P13P15P17P19P21P23P25P27P29

型号编号列表在P13P14P15P38P40P42P46P48P50P55P201P212

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SPB11N60C3ATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

13 页 / 0.45 MByte

SPB11N60C3ATMA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

SPB11N60C3ATMA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

40 页 / 0.46 MByte

SPB11N60C3ATMA1 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

SPB11N60C3ATMA1 产品修订记录

Infineon（英飞凌）

1 页 / 0.13 MByte

SPB11N60C3 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON SPB11N60C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 650 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V

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