STB100NF03L-03-1

￥ 2.292

STB100NF03L-03-1 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-262-3

描述:

N沟道30V - 0.0026 OHM -100A D2PAK / I2PAK / TO- 220的STripFET II功率MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.0026 OHM -100A D2PAK/I2PAK/TO-220 STRIPFET II POWER MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

STB100NF03L-03-1 数据手册 (15 页)

封装尺寸在9 页 10 页 11 页 12 页

STB100NF03L-03-1 数据手册 (15 页)

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STB100NF03L-03-1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-262-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

3.2 mΩ

极性

N-Channel

功耗

300 W

漏源击穿电压

30 V

栅源击穿电压

±16.0 V

连续漏极电流(Ids)

100 A

上升时间

315 ns

输入电容值(Ciss)

6200pF @25V(Vds)

下降时间

95 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

300W (Tc)

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STB100NF03L-03-1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

10 mm

宽度

4.4 mm

高度

8.95 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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STB100NF03L-03-1 符合标准

STB100NF03L-03-1 数据手册

STB100NF03L-03-1 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

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N沟道30V - 0.0026 OHM -100A D2PAK / I2PAK / TO- 220的STripFET II功率MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.0026 OHM -100A D2PAK/I2PAK/TO-220 STRIPFET II POWER MOSFET

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N沟道30V - 0.0026ohm - 100A - D2PAK / I2 / TO- 220的STripFET TM III功率MOSFET N-channel 30V - 0.0026ohm - 100A - D2PAK/I2/TO-220 STripFET TM III Power MOSFET

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N沟道30V - 0.0026 W¯¯ -100A DPAK / IPAK / TO- 220 STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.0026 W -100A DPAK/IPAK/TO-220 STripFET⑩ II POWER MOSFET

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ST Microelectronics（意法半导体）

N沟道30V - 0.0026 W¯¯ -100A DPAK / IPAK / TO- 220 STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.0026 W -100A DPAK/IPAK/TO-220 STripFET⑩ II POWER MOSFET

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