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STB100NF03L-03T4
0.807
STB100NF03L-03T4 数据手册 (1 页)
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STB100NF03L-03T4 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
30.0 V
额定电流
100 A
封装
TO-263-3
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.0026 Ω
极性
N-Channel
功耗
300 W
阈值电压
1.7 V
漏源极电压(Vds)
30 V
漏源击穿电压
30.0 V
栅源击穿电压
±16.0 V
连续漏极电流(Ids)
100 A
上升时间
315 ns
输入电容值(Ciss)
6200pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
300 W
下降时间
95 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
300W (Tc)

STB100NF03L-03T4 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
宽度
9.35 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

STB100NF03L-03T4 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
1 页 / 0.15 MByte

STB100NF03L03 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道30V - 0.0026 W¯¯ -100A DPAK / IPAK / TO- 220 STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.0026 W -100A DPAK/IPAK/TO-220 STripFET⑩ II POWER MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STB100NF03L-03T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 30 V, 0.0026 ohm, 10 V, 1.7 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道30V - 0.0026 OHM -100A D2PAK / I2PAK / TO- 220的STripFET II功率MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.0026 OHM -100A D2PAK/I2PAK/TO-220 STRIPFET II POWER MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道30V - 0.0026ohm - 100A - D2PAK / I2 / TO- 220的STripFET TM III功率MOSFET N-channel 30V - 0.0026ohm - 100A - D2PAK/I2/TO-220 STripFET TM III Power MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道30V - 0.0026 W¯¯ -100A DPAK / IPAK / TO- 220 STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.0026 W -100A DPAK/IPAK/TO-220 STripFET⑩ II POWER MOSFET
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