STB10NB20 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

STMICROELECTRONICS  STB10NK60ZT4  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 600 V, 650 mohm, 10 V, 3.75 V

STMICROELECTRONICS  STB100NF04T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 40 V, 0.0043 ohm, 10 V, 2 V

STB10N95K5 系列 950 V 0.8 Ohm 表面贴装 N 沟道 功率 Mosfet - D2PAK-3

N 通道 STripFET™ F7 系列，STMicroelectronicsSTripFET™ F7 系列低电压 MOSFET 具有较低的设备通态电阻，降低了内部电容和栅极电荷，提供更快更高效的切换。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

N沟道600V - 0.65OHM - 10A - I2 / D2PAK - TO- 220 / FP - TO- 247齐纳保护超网TM功率MOSFET N-channel 600V - 0.65OHM - 10A - I2/D2PAK - TO-220/FP - TO-247 Zener-protected SuperMESH TM Power MOSFET

N 通道 STripFET™ H7 系列，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。

STMICROELECTRONICS  STB100NF03L-03T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 30 V, 0.0026 ohm, 10 V, 1.7 V

N 通道 MDmesh™ M2 系列，STMicroelectronicsMDmesh M2 系列功率 MOSFET 非常适合用于谐振型电源（LLC 转换器）。 其配置具有低栅极电荷，以及极佳的输出电容。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

N沟道 800V 8A