￥ 279.272

MRFE6VP8600HR5 数据手册 - NXP（恩智浦）

制造商:

NXP（恩智浦）

分类:

MOS管

封装:

NI-1230

描述:

晶体管, 射频FET, 130 V, 1.052 kW, 860 MHz, 470 MHz, NI-1230

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

MRFE6VP8600HR5 数据手册 (20 页)

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MRFE6VP8600HR5 技术参数、封装参数

类型

描述

频率

860 MHz

引脚数

5 Pin

封装

NI-1230

无卤素状态

Halogen Free

针脚数

4 Position

功耗

1.052 kW

漏源极电压(Vds)

130 V

输出功率

125 W

增益

19.3 dB

测试电流

1.4 A

输入电容值(Ciss)

264pF @50V(Vds)

工作温度(Max)

225 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

耗散功率(Max)

1052000 mW

额定电压

130 V

电源电压

50 V

MRFE6VP8600HR5 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-65℃ ~ 225℃

MRFE6VP8600HR5 符合标准

MRFE6VP8600HR5 海关信息

MRFE6VP8600HR5 数据手册

MRFE6VP8600HR5 其他数据使用手册

NXP（恩智浦）

20 页 / 1.3 MByte

MRFE6VP8600HR5 开发手册

NXP（恩智浦）

19 页 / 0.63 MByte

MRFE6VP8600HR5 产品封装文件

NXP（恩智浦）

2 页 / 0.04 MByte

MRFE6VP8600HR5 产品修订记录

NXP（恩智浦）

2 页 / 0.18 MByte

MRFE6VP8600 数据手册

MRFE6VP8600HR5 数据手册

NXP（恩智浦）

晶体管, 射频FET, 130 V, 1.052 kW, 860 MHz, 470 MHz, NI-1230

Freescale（飞思卡尔）

NXP（恩智浦）

Freescale（飞思卡尔）

Freescale（飞思卡尔）

NXP（恩智浦）

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W NI1230S 50V

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