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STD2NB80
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STD2NB80 数据手册 (9 页)
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STD2NB80 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
TO-252
漏源极电阻
6.50 Ω
极性
N-Channel
功耗
55.0 W
漏源极电压(Vds)
800 V
漏源击穿电压
800 V
栅源击穿电压
±30.0 V
连续漏极电流(Ids)
1.90 A

STD2NB80 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tube

STD2NB80 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
9 页 / 0.2 MByte

STD2 数据手册

Cooper Bussmann(库柏)
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STD20NF20  晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 200 V, 125 mohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STD2NK90ZT4  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.1 A, 900 V, 5 ohm, 10 V, 3.75 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STD25NF10T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 12.5 A, 100 V, 33 mohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STD2HNK60Z-1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2 A, 600 V, 4.4 ohm, 10 V, 3.75 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STD25N10F7 编带
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道600V - 4.4ヘ - 2A - TO- 92 / TO- 220FP / DPAK / IPAK齐纳保护SuperMESH⑩功率MOSFET N-channel 600V - 4.4ヘ - 2A - TO-92/TO-220FP/DPAK/IPAK Zener-protected SuperMESH⑩ Power MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道100V - 0.033Ω - 25A - DPAK低栅极电荷的STripFET ™II功率MOSFET N-channel 100V - 0.033Ω - 25A - DPAK Low gate charge STripFET™ II Power MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STD20NF06LT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 60 V, 0.032 ohm, 10 V, 2.5 V
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